1）纯度：99.9999%;
2）检测：GDMS(所有杂质元素总和低于1ppm);
3）晶向：<110>
4）原理：当激光光子的能量大于或等于基片半导体能隙时，半导体表面就会产生大量的瞬生自由载流子，由于自由电子的迁移率一般要远高于空穴的迁移率，因此仅考虑自由电子
的贡献而忽略空穴的影响。最后在电场的共同作用下，这些自由载流子会在碲化锌晶体材料的表面加速运动从而形成瞬变的光电流，由此向外辐射出太赫兹脉冲；
5）应用：由于 ZnTe 是一种具有良好位相匹配特性和较好电光性质的晶体,目前已成为
最常用的产生和探测 THz 辐射的电光材料; 在以往的研究中通常采用两块ZnTe 晶体一块作为THz场发射源，另一块用于探测THz辐射场分布,这样得到的THz 场分布较宽,反映在THz 谱上频谱较窄；
6）市场前景：随着 ZnTe 晶体在 THz 辐射和探测方面的广泛应用 ZnTe 晶体成为最主要的THz辐射产生和探测的半导体材料,正因为 THz时域光谱,成像等领域有着巨大的应用前景, ZnTe晶体成为THz辐射领域里人们研究最多的电光晶体。
近十几年来，随着超快激光技术的迅速发展，使得太赫兹波获得了稳定可靠的激发光源，从而使其凭借着独特的性质在宽带通信、雷达、天文学、医学成像、无损检测、安全检查等方面有着广泛的应用，并带来了深远的影响。太赫兹波相比微波拥有更高的频率，因而在雷达的远程侦探中具有更高的空间分辨率。同时，太赫兹波光子能量小，不会对物质产生破坏作用，与 X 射线相比，在扫描,检测方面更有优势