提供各种靶材用于溅射工艺制备CIGS薄膜

一, 四元合金靶材：CIGS 靶材

  1，常规原子比：1:0.7:0.3:2  或者 1:0.8:0.2:2 （客户亦可根据自身工艺制订原子比例）

     技术对接：CVD合成四元合金（高精分析天平称量，各种元素的配比公差低于百万分之一）--氮气保护下研磨制粉 –HP （热压）--检验—打磨，抛光。

  2，检验：ICP-MS；XRD  通过ICP-MS 检测杂质含量：5N的CIGS 靶材的杂质元素总和小于10ppm

     通过XRD衍射 ：CIGS 具备闪锌黄铜矿结构。（可提供检验报告和样品）

  3，靶材致密度：大于93%

4，服务：可免费提供导电玻璃和99.999%的硒粉。硒粉用于客户最后的硒化工艺，因为磁控溅射CIGS的过程中有硒的流失。

  5，安全防护措施：提供MSDS及溅射过程中的必要防护。

二，三硒化二铟（In₂Se₃）靶材；三硒化而镓（Ga₂Se₃）靶材，硒化亚铜（Cu₂Se），或硒化铜（CuSe）靶材

技术对接：CVD 合成二元合金 – HP （热压）--检验—打磨，抛光。

三，铜镓(CuGa);铜铟(CuIn);铜镓铟（CuGaIn）靶材

*配方原子比例：客户可自选，我方亦可以提供常规原子比例。

四，铜（Cu）靶；铟(In)靶，硒(Se)靶

技术对接：真空熔炼；

五，CIGS 配套靶材

    N型：硫化镉(CdS )靶,硫化锌（ZnS）靶，硒化锌（ZnSe）靶 。

氧化锌铝（AZO）靶 ,钼（Mo）靶

1，由于硫化镉有毒，所以硫化锌，硒化锌靶为其替代品。试验表明硒化铟也有此属性。

2，硫化镉，硫化锌，硒化锌制备工艺：CVD 高纯氩气携带金属蒸汽（镉，锌蒸汽）进入反应室与过量的H₂S,H₂Se 气体气相沉积而成。